Micro e nanofabricação (fabricação de contatos eletricos) por feixe de ions focalizados
Orientadores: Jacobus Willibrordus Swart, Stanislav Moshkalev === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação === Made available in DSpace on 2018-08-13T05:10:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_MarceloMacchida_M.pdf: 6148337 bytes,...
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ndltd-IBICT-oai-repositorio.unicamp.br-REPOSIP-2592432019-01-21T21:03:18Z Micro e nanofabricação (fabricação de contatos eletricos) por feixe de ions focalizados Micro and nano (manufacture of electrical contacts) with focused ion beam Silva, Marcelo Macchi da UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS Moshkalev, Stanislav, 1952- Swart, Jacobus Willibrordus, 1950- Pudenzi, Márcio Alberto Araujo Diniz, José Alexandre Tatsch, Peter Jürgen Feixes de íons focalizados Focused ion beam Orientadores: Jacobus Willibrordus Swart, Stanislav Moshkalev Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação Made available in DSpace on 2018-08-13T05:10:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_MarceloMacchida_M.pdf: 6148337 bytes, checksum: d4ca724ac84a5417bdd4995685227913 (MD5) Previous issue date: 2007 Resumo: A nanotecnologia e uma área nova e promissora que englobam muitas disciplinas de ciência e engenharia. Seu rápido crescimento nas ultimas duas décadas é devido ao crescimento simultâneo na fabricação e caracterização de materiais em escala nanométrica. O objetivo deste trabalho é desenvolver uma técnica de processo híbrido para a fabricação de micro e nanocontatos assim como sua caracterização elétrica. Esse processo híbrido combina a fotolitografia seguida da técnica de lift-off e a deposição de platina por FIB. Para determinar a resistividade da platina depositada por FIB (Focuded Ion Beam), foram fabricas estruturas quadradas variando sua espessura de 5 nm - 100 nm e sua área 150 µm 150 µm e 20 µm x 20 µm. Resistores com comprimento de 30 µm variando sua área de secção (50 nm x 50 nm - 1 µm x 1 µm) foram fabricados a fim de uma melhor na caracterização do processo de deposição do filme de Pt assim como sua caracterização elétrica. As medidas elétricas foram realizadas na estação Keythley 4200 SCS, onde foi utilizado o método de quatro pontas nas estruturas quadradas para a caracterização da resistividade. Nos resistores utilizamos a configuração de dois terminais para a caracterização de resistência dos nanocontatos. Abstract: Nanoscale science and technology is a young and burgeoning field that encompasses nearly every discipline of science and engineering, the rapid growth of the field in the past decades has been enable by the sustained advances in the fabrication and characterization of materials. This work presents the hybrid process for fabrication of micro and nanocontacts, this process include the lift - off technique and platinum deposited by FIB. For measurements, two types of test structures were fabricated: (i) 150 x 150 µm and 20 x 20 µm squares with thickness of 5, 10, 30 and 100 nm, and (ii) 30 µm long resistors with variable cross - section (50 nm x 50 nm to 1 µm x 1 µm). The Pt film resistivity has been measured by a four points probe method. Mestrado Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica Mestre em Engenharia Elétrica 2007 2018-08-13T05:10:33Z 2018-08-13T05:10:33Z info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/masterThesis SILVA, Marcelo Macchi da. Micro e nanofabricação (fabricação de contatos eletricos) por feixe de ions focalizados. 2007. 78 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/259243>. Acesso em: 13 ago. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259243 por info:eu-repo/semantics/openAccess 78 f. : il. application/pdf [s.n.] Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica reponame:Repositório Institucional da Unicamp instname:Universidade Estadual de Campinas instacron:UNICAMP |
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Previous issue date: 2007 === Resumo: A nanotecnologia e uma área nova e promissora que englobam muitas disciplinas de ciência e engenharia. Seu rápido crescimento nas ultimas duas décadas é devido ao crescimento simultâneo na fabricação e caracterização de materiais em escala nanométrica. O objetivo deste trabalho é desenvolver uma técnica de processo híbrido para a fabricação de micro e nanocontatos assim como sua caracterização elétrica. Esse processo híbrido combina a fotolitografia seguida da técnica de lift-off e a deposição de platina por FIB. Para determinar a resistividade da platina depositada por FIB (Focuded Ion Beam), foram fabricas estruturas quadradas variando sua espessura de 5 nm - 100 nm e sua área 150 µm 150 µm e 20 µm x 20 µm. Resistores com comprimento de 30 µm variando sua área de secção (50 nm x 50 nm - 1 µm x 1 µm) foram fabricados a fim de uma melhor na caracterização do processo de deposição do filme de Pt assim como sua caracterização elétrica. As medidas elétricas foram realizadas na estação Keythley 4200 SCS, onde foi utilizado o método de quatro pontas nas estruturas quadradas para a caracterização da resistividade. Nos resistores utilizamos a configuração de dois terminais para a caracterização de resistência dos nanocontatos. === Abstract: Nanoscale science and technology is a young and burgeoning field that encompasses nearly every discipline of science and engineering, the rapid growth of the field in the past decades has been enable by the sustained advances in the fabrication and characterization of materials. This work presents the hybrid process for fabrication of micro and nanocontacts, this process include the lift - off technique and platinum deposited by FIB. For measurements, two types of test structures were fabricated: (i) 150 x 150 µm and 20 x 20 µm squares with thickness of 5, 10, 30 and 100 nm, and (ii) 30 µm long resistors with variable cross - section (50 nm x 50 nm to 1 µm x 1 µm). The Pt film resistivity has been measured by a four points probe method. === Mestrado === Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica === Mestre em Engenharia Elétrica |
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