Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS

Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS

Orientador: Jose Alexandre Diniz === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação === Made available in DSpace on 2018-09-11T21:11:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Miyoshi_Juliana_M.pdf: 3791020 bytes, checksum: 460cf8c5054332b38c548b87723e...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Miyoshi, Juliana
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 2008
Subjects:
Filmes finos
Filmes finos - Propriedades elétricas
Semicondutores
High K
Ultra-thin films
MOS
Semiconductors
Electricals properties
Online Access:MIYOSHI, Juliana. Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS. 2008. 148 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260111>. Acesso em: 11 set. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260111

Internet

MIYOSHI, Juliana. Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS. 2008. 148 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260111>. Acesso em: 11 set. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260111

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