Desenvolvimento de filmes de silicio-germanio para aplicações em dispositivos MOS

Desenvolvimento de filmes de silicio-germanio para aplicações em dispositivos MOS

Orientador: Ioshiaki Doi === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação === Made available in DSpace on 2018-08-07T10:45:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Teixeira_RicardoCotrin_D.pdf: 2331304 bytes, checksum: 01dc54b878be8180e9b3c17033a3feb1...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Teixeira, Ricardo Cotrin
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 2006
Subjects:
Silício
Deposição química de vapor
Filmes finos
Silium
Chemical vapor deposition
Thin films
Online Access:TEIXEIRA, Ricardo Cotrin. Desenvolvimento de filmes de silicio-germanio para aplicações em dispositivos MOS. 2006. 91p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260820>. Acesso em: 7 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260820

Internet

TEIXEIRA, Ricardo Cotrin. Desenvolvimento de filmes de silicio-germanio para aplicações em dispositivos MOS. 2006. 91p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260820>. Acesso em: 7 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260820

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