Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR

Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR

Orientador: Jose Alexandre Diniz === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação === Made available in DSpace on 2018-08-10T02:20:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zoccal_LeonardoBreseghello_D.pdf: 6734188 bytes, checksum: 05f6c64d923bafb5e071...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Zoccal, Leonardo Breseghello
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 2007
Subjects:
Transistores bipolares
Transistores de efeito de campo
Nitreto de silício
Arsenieto de gálio
Passivation
Silicon nitride film
MISFET
MESFET
HBT
Online Access:ZOCCAL, Leonardo Breseghello. Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR. 2007. 171p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260858>. Acesso em: 9 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260858

Internet

ZOCCAL, Leonardo Breseghello. Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR. 2007. 171p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260858>. Acesso em: 9 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260858

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