Estudo da viabilidade da deposição de tungstenio em um sistema RP/RTCUD

• Main Author: Oliveira, Clivaldo de
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1996
• Subjects: Vapor - Deposição; Tungstênio
• Online Access: OLIVEIRA, Clivaldo de. Estudo da viabilidade da deposição de tungstenio em um sistema RP/RTCUD. 1996. 66f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/261580>. Acesso em: 21 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261580

Orientador: Peter Jurgen Tatsch === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica === Made available in DSpace on 2018-07-21T23:24:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_Clivaldode_M.pdf: 2687977 bytes, checksum: 0bf6d83af9804e0d851d31e4eec92f67 (MD5) Previous issue date: 1996 === Resumo: Neste trabalho foi feito um estudo da viabilidade da deposição de tungstênio (W), seletivo e não-seletivo, pela técnica CVD (Chemical Vapor Deposition) com plasma remoto em um equipamento que utiliza lâmpadas halogêneas como fonte de aquecimento do substrato (processamento rápido). Seguindo-se um projeto fatorial foi feito um conjunto de experimentos variando-se o fluxo de gases ('WF IND. 6' e 'H IND. 2'), potência, temperatura de aquecimento do substrato e pressão, obtendo-se as condições ótimas de deposição para o equipamento utilizado. Os filmes de W foram caracterizados quanto a: taxa de deposição, uniformidade, resistividade e tamanho de grão. Foram obtidos filmes com boa taxa de deposição e com boa uniformidade === Abstract: In this work, the feasibility of the chemical vapor deposition process (CVD) was studied for both selective as well as for non-selective W deposition. The experiments were done in a remote plasma equipment with halogen lamps working as heat source (for rapid thermal processing). The experiments were planned according to the principies of factorial design aiming to achieve the best conditions for the CVD equipment. The parameters involved in the depositions were the gas flow for ('WF IND. 6' e 'H IND. 2'), the RF power, the holder temperature and the chamber pressure. The W films were characterized with respect to the deposition rate, the on-wafer uniformity, the sheet resistivity and the grain size. High quality W films with good uniformity and reasonable deposition rates were achieved. === Mestrado === Mestre em Engenharia Elétrica