Estudo de defeitos induzidos pela implantação/irradiação de íons em Si(001) por difração de raios-X de n-feixes

Estudo de defeitos induzidos pela implantação/irradiação de íons em Si(001) por difração de raios-X de n-feixes

Orientadores: Lisandro Pavie Cardoso, Rossano Lang Carvalho === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-08-24T10:35:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CalligarisdeAndrade_Guilherme_M.pdf: 21575111 bytes, checksum...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Calligaris de Andrade, Guilherme, 1984-
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 2014
Subjects:
Raios X - Difração múltipla
Implantação iônica
Semicondutores
X-Rays - Multiple diffraction
Ion implantation
Semiconductors
Online Access:CALLIGARIS DE ANDRADE, Guilherme. Estudo de defeitos induzidos pela implantação/irradiação de íons em Si(001) por difração de raios-X de n-feixes. 2014. 77 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/276999>. Acesso em: 24 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/276999

Internet

CALLIGARIS DE ANDRADE, Guilherme. Estudo de defeitos induzidos pela implantação/irradiação de íons em Si(001) por difração de raios-X de n-feixes. 2014. 77 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/276999>. Acesso em: 24 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/276999

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