Estudo das propriedades óticas e de transporte de semicondutores de gap direto altamente excitados

Estudo das propriedades óticas e de transporte de semicondutores de gap direto altamente excitados

Orientador: Roberto Luzzi === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-15T08:48:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sampaio_AntonioJosedaCosta_D.pdf: 2605293 bytes, checksum: 1a6b273715fb19378c33c661469f64dd (MD5) P...

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Bibliographic Details
Main Author: Sampaio, Antonio Jose da Costa
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1983
Subjects:
Semicondutores - Propriedades óticas
Gap de energia (Física)
Online Access:SAMPAIO, Antonio Jose da Costa. Estudo das propriedades óticas e de transporte de semicondutores de gap direto altamente excitados. 1983. 113f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277012>. Acesso em: 15 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277012

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SAMPAIO, Antonio Jose da Costa. Estudo das propriedades óticas e de transporte de semicondutores de gap direto altamente excitados. 1983. 113f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277012>. Acesso em: 15 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277012

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