Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs

• Main Author: Rosa, Celso Pereira Tome
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1985
• Subjects: Lasers semicondutores; Pressão hidrostática
• Online Access: ROSA, Celso Pereira Tome. Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs. 1985. 158f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277178>. Acesso em: 15 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277178

Orientador: Theresinha de Jesus Serra de Mattos === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-15T12:57:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rosa_CelsoPereiraTome_M.pdf: 2328432 bytes, checksum: 97fbc771e54df632562fe63d9c6ca50f (MD5) Previous issue date: 1985 === Resumo: Neste trabalho, estudamos o comportamento dos lasers semicondutores de InGaAsP-DH e GaAlAs-QW, quando submetidos a aplicação de pressão uniaxial. Na primeira parte, fazemos uma correlação entre os dados experimentais, obtidos para a variação da corrente limiar com aumento da pressão uniaxial dos lasers de InGaAsP, e a teoria desenvolvida por Patel e outros para os lasers de GaAs. Previa-se, teoricamente, um aumento da corrente limiar com a pressão, o que foi observado para 80% dos lasers testados; para os 20% restantes observamos uma redução da corrente limiar. Acreditamos que tal redução possa ser explicada supondo-se a presença do mecanismo de recombinação não radiativo (efeito Auger) nestes lasers. Acreditamos também, que anão homogeneidade observada nos resultados é devida a um desajustamento nos parâmetros de rede das camadas. Na segunda parte, fazemos um estudo sobre o guiamento da luz em laser de poço quântico de GaAlAs, analisando-se o guia de ondas nas direções transversal e paralela a camada ativa. Observamos experimentalmente um atraso na emissão estimulada. Este atraso é função da corrente de injeção e pode ser explicado supondo-se a existência de um guia de ondas induzido pelo efeito da temperatura. Uma comparação entre os resultados experimentais e teóricos para o laser de SCH-QW de GaAlAs de espessura da camada ativa de 200Þ apresenta boa concordância. Além do estudo da evolução do ganho com o tempo, observamos experimentalmente que a aplicação de pressão uniaxial causa um aumento no atraso da emissão estimulada. Este aumento no atraso é devido a uma redução do ganho modal. Uma relação empírica que mostra a evolução do ganho modal com a pressão uniaxial é proposta === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física