Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn

Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn

Orientador: Eliermes Arraes Meneses === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-14T21:40:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mendonca_CesarAugustoCurvellode_M.pdf: 1779771 bytes, checksum: d1a5e39ca7e4da8c9f321...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Mendonça, Cesar Augusto Curvello de
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1987
Subjects:
Epitaxia por feixe molecular
Ótica
Teoria dos excitons
Online Access:MENDONÇA, Cesar Augusto Curvello de. Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn. 1987. 66 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277717>. Acesso em: 14 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277717

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MENDONÇA, Cesar Augusto Curvello de. Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn. 1987. 66 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277717>. Acesso em: 14 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277717

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