Propriedades eletrônicas e estruturais do xenônio implantado em silício amorfo

Propriedades eletrônicas e estruturais do xenônio implantado em silício amorfo

Orientador: Francisco das Chagas Marques === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" === Made available in DSpace on 2018-08-14T18:36:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Barbieri_PauloFernando_D.pdf: 3626831 bytes, checksum: 0f15b74219acbe9e82e...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Barbieri, Paulo Fernando
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 2009
Subjects:
Xenônio
Implantação assistida
Excitações atômicas
Silício amorfo
Xenon
Assisting implantation
Atomic excitation
Amorphous silicon
Online Access:BARBIERI, Paulo Fernando. Propriedades eletrônicas e estruturais do xenônio implantado em silício amorfo. 2009. 134 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277731>. Acesso em: 14 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277731

Internet

BARBIERI, Paulo Fernando. Propriedades eletrônicas e estruturais do xenônio implantado em silício amorfo. 2009. 134 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277731>. Acesso em: 14 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277731

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