Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs

Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs

Orientador: Fernando Iikawa === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-08-09T11:09:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Veloso_AlineBessa_M.pdf: 2273008 bytes, checksum: 19cf5ce00aebec12cc1795518a811244 (MD5) Pr...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Veloso, Aline Bessa
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 2007
Subjects:
Semicondutores
Pontos quânticos
Fotoluminescência
Semiconductors
Quantum dots
Photoluminescence
Online Access:VELOSO, Aline Bessa. Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs. 2007. 95p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277760>. Acesso em: 9 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277760

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VELOSO, Aline Bessa. Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs. 2007. 95p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277760>. Acesso em: 9 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277760

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