Camada epitaxial de INP : Zn Passivada por hidrogênio

Camada epitaxial de INP : Zn Passivada por hidrogênio

Orientador: Fernando Iikawa === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" === Made available in DSpace on 2018-07-24T15:54:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ToginhoFilho_DarideOliveira_M.pdf: 2011912 bytes, checksum: 0453c59bd0c444da625e1...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Toginho Filho, Dari de Oliveira
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1998
Subjects:
Semicondutores - Propriedades óticas
Fosfeto de índio
Online Access:TOGINHO FILHO, Dari de Oliveira. Camada epitaxial de INP: Zn Passivada por hidrogênio. 1998. 74f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277772>. Acesso em: 24 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277772

Internet

TOGINHO FILHO, Dari de Oliveira. Camada epitaxial de INP: Zn Passivada por hidrogênio. 1998. 74f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277772>. Acesso em: 24 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277772

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