Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP

Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP

Orientador: Fernando Iikawa === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" === Made available in DSpace on 2018-08-02T02:53:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tudury_HeloisaAndradedePaula_M.pdf: 2460328 bytes, checksum: a3be30d81a490ff71b29...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Tudury, Heloisa Andrade de Paula
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 2001
Subjects:
Semicondutores - Propriedades óticas
Poços quânticos
Fotoluminescência
Heteroestruturas
Online Access:TUDURY, Heloisa Andrade de Paula. Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP. 2001. 53f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277786>. Acesso em: 1 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277786

Internet

TUDURY, Heloisa Andrade de Paula. Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP. 2001. 53f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277786>. Acesso em: 1 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277786

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