Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos

Orientador: Luiz Carlos M. Miranda === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-14T02:49:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Almeida_NilsonSenade_M.pdf: 617220 bytes, checksum: 4402ce7a13c5c6fc89f18e661a3851d4 (...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Almeida, Nilson Sena de
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1977
Subjects:
Online Access:ALMEIDA, Nilson Sena de. Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagnéticos. 1977. 53 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278212>. Acesso em: 13 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278212
Description
Summary:Orientador: Luiz Carlos M. Miranda === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-14T02:49:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Almeida_NilsonSenade_M.pdf: 617220 bytes, checksum: 4402ce7a13c5c6fc89f18e661a3851d4 (MD5) Previous issue date: 1977 === Resumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas eletromagnéticas com a criação de um mágnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semicondutores ferromagnéticos, na presença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação elétron-radiação é devida ao termo em A2 é dominante sobre o em A.p. Estimativas são feitas para campos magnéticos da ordem de 100 KG e parâmetros físicos característicos dos semicondutores em estudo. Finalmente, é feita uma análise do comportamento de Sp( l ) com a geometria de espalhamento === Abstract: Not informed. === Mestrado === Física === Mestre em Física