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Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação

Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação

Orientador: Marcio D'Olne Campos === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T04:03:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bossi_ReusiInes_M.pdf: 1547817 bytes, checksum: 3037277822b87e26258865b947cc8e79 (M...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Bossi, Reusi Ines
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1977
Subjects:
Lasers semicondutores
Online Access:BOSSI, Reusi Ines. Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação. 1977. 69 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278248>. Acesso em: 17 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278248
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BOSSI, Reusi Ines. Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação. 1977. 69 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278248>. Acesso em: 17 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278248

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