Dispositivos optoeletrônicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pré-gravados pela técnica CBE

Dispositivos optoeletrônicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pré-gravados pela técnica CBE

Orientador: Newton Cesario Frateschi === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-08-03T17:15:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Castro_MariaPriscilaPessanhade_D.pdf: 4544193 bytes, checksum: 7f45868f8d928ec82ba723ca54c...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Castro, Maria Priscila Pessanha de
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 2001
Subjects:
Semicondutores
Epitaxia
Arsenieto de gálio
Lasers semicondutores
Dispositivos optoeletrônicos
Online Access:CASTRO, Maria Priscila Pessanha de. Dispositivos optoeletrônicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pré-gravados pela técnica CBE. 2001. 119p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278338>. Acesso em: 3 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278338

Internet

CASTRO, Maria Priscila Pessanha de. Dispositivos optoeletrônicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pré-gravados pela técnica CBE. 2001. 119p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278338>. Acesso em: 3 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278338

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