Crescimento epitaxial (LPE) de junções abruptas em InAs e estudo de processos de injeção por tunelamento radiativo

Crescimento epitaxial (LPE) de junções abruptas em InAs e estudo de processos de injeção por tunelamento radiativo

Orientador: Navin B. Patel === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-14T11:35:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bull_DouglasJohn_M.pdf: 953241 bytes, checksum: 312ca05bea9b51daf5be3c736c428664 (MD5) Previ...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Bull, Douglas John
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1977
Subjects:
Cristais - Propriedades elétricas
Semicondutores - Junções
Online Access:BULL, Douglas John. Crescimento epitaxial (LPE) de junções abruptas em InAs e estudo de processos de injeção por tunelamento radiativo. 1977. 43 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278458>. Acesso em: 14 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278458

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BULL, Douglas John. Crescimento epitaxial (LPE) de junções abruptas em InAs e estudo de processos de injeção por tunelamento radiativo. 1977. 43 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278458>. Acesso em: 14 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278458

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