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Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE

Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-21T20:30:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sato_JulioNoboru_M.pdf: 1907861 bytes, checksum: 9da572e0cf8e9f1e542ef7f2f3...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Sato, Julio Noboru
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1996
Subjects:
Semicondutores de arsenieto de galio
Online Access:SATO, Julio Noboru. Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE. 1996. 67f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278462>. Acesso em: 21 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278462
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SATO, Julio Noboru. Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE. 1996. 67f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278462>. Acesso em: 21 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278462

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