Estudo de níveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS)

Estudo de níveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS)

Orientador: Paulo Motisuke === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T03:34:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Brasil_MariaJoseSantosPompeu_D.pdf: 4863601 bytes, checksum: c8365764a8c822e3eac4ac72431e2b88 (MD5)...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Brasil, Maria José Santos Pompeu, 1961-
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1989
Subjects:
Semicondutores de arsenieto de galio
Online Access:BRASIL, Maria José Santos Pompeu. Estudo de níveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS). 1989. 1v.(varias paginações). Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278588>. Acesso em: 17 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278588

Internet

BRASIL, Maria José Santos Pompeu. Estudo de níveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS). 1989. 1v.(varias paginações). Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278588>. Acesso em: 17 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278588

Similar Items