Estudo de níveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS)
Orientador: Paulo Motisuke === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T03:34:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Brasil_MariaJoseSantosPompeu_D.pdf: 4863601 bytes, checksum: c8365764a8c822e3eac4ac72431e2b88 (MD5)...
Main Author: | Brasil, Maria José Santos Pompeu, 1961- |
---|---|
Other Authors: | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS |
Format: | Others |
Language: | Portuguese |
Published: |
[s.n.]
1989
|
Subjects: | |
Online Access: | BRASIL, Maria José Santos Pompeu. Estudo de níveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS). 1989. 1v.(varias paginações). Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278588>. Acesso em: 17 jul. 2018. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278588 |
Similar Items
-
Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE
by: Sato, Julio Noboru
Published: (1996) -
Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico
by: Bettini, Jefferson
Published: (2003) -
Dispositivos optoeletrônicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pré-gravados pela técnica CBE
by: Castro, Maria Priscila Pessanha de
Published: (2001) -
Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman.
by: Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti
Published: (1989) -
Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE)
by: Bettini, Jefferson
Published: (1997)