"Propriedades ópticas e elétricas de filmes epitaxiais de GaAs:Si crescidos na superfície (311)A"
Um estudo sistemático de caracterização de filmes de GaAs dopados com Silício e crescidos por Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados na superfície (311)A, foi desenvolvido visando compreender os mecanismos de incorporação do Si no filme. Na superfície (311)A o Si tem...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2002
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-03122002-103444/ |