Crescimento e caracterização de estruturas eletrônicas de GaAs/AlGaAs para aplicação em dispositivos
O presente trabalho descreve a preparação de estruturas semicondutoras a base de AlGaAs/GaAs para a aplicações em dispositivos eletrônicos. As amostras utilizadas foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE Molecular Beam Epitaxy). São apresentados os resultados dos estudos...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
1993
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-07042015-171926/ |