Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses
Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com diodos resistentes a danos de radiação dos tipos fusão zonal padrão (FZ), fusão zonaI com difusão de oxigênio (DOFZ) e Czochralski magnético (MCz) em dosimetria de processamento por radiação gama. Estes dispositivos de junção p+-n-n+ fora...
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| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2009
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/ |