Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e opto eletrônicos.
O nitreto de índio (InN) e seus derivados (como o oxi-nitreto de índio) são materiais com alta potencialidade de aplicações em dispositivos optoeletrônicos devido às suas propriedades ópticas e eletrônicas. Para o InN foi obtido originalmente um band gap em torno de 1,9 eV e, apesar deste val...
| Main Author: | |
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| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2011
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09122011-094234/ |