Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura.
Neste trabalho, é apresentada uma análise da operação analógica de transistores de múltiplas portas, avaliando a tensão Early, o ganho de tensão em malha aberta, a razão da transcondutância pela corrente de dreno (gm/IDS), a condutância de dreno e, em especial, a distorção harmônica, exibida por...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2010
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/ |