Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados.
Em decorrência da necessidade de se obter circuitos integrados (CIs) cada vez mais velozes e consequentemente dando sequência à lei de Moore, a redução das dimensões dos dispositivos se torna necessária, aumentando assim a capacidade de integração de transistores dentro de um CI, porém, ao passo...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2018
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/ |