Caracterização de super-redes semicondutoras amorfas por difração de raios x.

Caracterização de super-redes semicondutoras amorfas por difração de raios x.

Neste trabalho foram investigados dois sistemas de multicamadas de semicondutores amorfos, a-SI:h/SI IND.1-XC IND.X:h e a-SI:h/a-GE:h, crescidos pela técnica de plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). A difração de raios x a baixo angulo (SAXRD) foi a técnica utilizada para estudo da...

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Bibliographic Details
Main Author: Elvira Leticia Zeballos Velasquez
Other Authors: Marcia Carvalho de Abreu Fantini
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 1995
Subjects:
Difração de raios-x
Matéria condensada
semicondutores
Semicondutores amorfos.
Super-redes
Amorphous Semiconductors.
Condensed matter
semiconductor
Super-networks
x-ray diffraction
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-12072013-154933/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-12072013-154933/

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