Espalhamento Raman em Pontos Quânticos de InGaAs

Espalhamento Raman em Pontos Quânticos de InGaAs

Ilhas de InxGa1-xAs são de grande interesse no desenvolvimento tecnológico de lasers de diodos e diodos emissores de luz. As ilhas de InxGa1-xAs investigadas neste trabalho foram crescidas sobre um substrato semi-isolante de GaAs (001) pelo método de auto-organização usando epit...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Alfredo Rodrigues Vaz
Other Authors: Vólia Lemos Crivellenti
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 1999
Subjects:
Efeitos de Tensão
Espalhamento Raman
Pontos Quânticos
Propriedades ópticas de materiais
effects of tension
Optical Properties of materials
quantum dots
Raman scattering
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-14072014-163652/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-14072014-163652/

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