ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS RELACIONADAS COM COBRE EM GERMANIO
Neste trabalho apresentamos estudos sobre a estrutura eletronica de impurezas isoladas e complexas em germanio as quais sao responsaveis pela introducao de niveis de energia profundos na banda proibida do semicondutor. O modelo utilizado e o do aglomerado molecular, dentro do formalismo autocons...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
1992
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-15032017-135018/ |