Estudo das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de oxinitreto de silício depositado por PECVD
Neste trabalho, filmes amorfos de oxinitreto de silício (alfa-SiO IND.XN IND.Y:H) foram crescidos pelo processo de Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) a temperatura da 320ºC. No processo de deposição foi utilizada a mistura dos gases óxido nitroso (N IND.2O) e silano (SiH IND.4), v...
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Language: | Portuguese |
Published: |
Universidade de São Paulo
2002
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Subjects: | |
Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18022014-142527/ |