Estudo das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de oxinitreto de silício depositado por PECVD

Estudo das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de oxinitreto de silício depositado por PECVD

Neste trabalho, filmes amorfos de oxinitreto de silício (alfa-SiO IND.XN IND.Y:H) foram crescidos pelo processo de Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) a temperatura da 320ºC. No processo de deposição foi utilizada a mistura dos gases óxido nitroso (N IND.2O) e silano (SiH IND.4), v...

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Bibliographic Details
Main Author: Wanderlã Luis Scopel
Other Authors: Marcia Carvalho de Abreu Fantini
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 2002
Subjects:
Absorção de raios-x
Amorfos
Estrutura atômica
Oxinitreto de silício
PECVD
Amorphous
Atomic structure
Silicon oxynitride
X-ray absorption
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18022014-142527/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18022014-142527/

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