Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios
A tecnologia dos semicondutores tem exigido materiais alternativos para substituir a silício em aplicações a altas temperaturas, altas potências e altas frequências. O carbeto de silício (SiC) emergiu como um dos sérios candidatos que poderiam operar sob extremas condições. O carbeto de silício...
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| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2003
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/ |