Medidas de expoentes críticos de filmes de diamante por meio de microscopia de força atômica

Neste trabalho investigamos a dinâmica de crescimento de filmes de diamante sintetizados por meio de deposição química a vapor ativada por plasma de microondas (CVD). A caracterização foi feita utilizando, fundamentalmente, microscopia de força atômica (AFM). Analisamos o comportamento da rugosi...

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Bibliographic Details
Main Author: Marcilei Aparecida Guazzelli da Silveira
Other Authors: Maria Cecilia Barbosa da Silveira Salvadori
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 1999
Subjects:
KPZ
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-19062015-165612/
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spelling ndltd-IBICT-oai-teses.usp.br-tde-19062015-1656122019-01-21T23:34:34Z Medidas de expoentes críticos de filmes de diamante por meio de microscopia de força atômica Measures of critical exponents of diamond films using atomic force microscopy Marcilei Aparecida Guazzelli da Silveira Maria Cecilia Barbosa da Silveira Salvadori Roberto Mendonça Faria Alain Andre Quivy Expoentes críticos Filmes de diamante KPZ Leis de escala Microscopia de força atômica Atomic force microscopy Critical exponents Diamond films KPZ Scale laws Neste trabalho investigamos a dinâmica de crescimento de filmes de diamante sintetizados por meio de deposição química a vapor ativada por plasma de microondas (CVD). A caracterização foi feita utilizando, fundamentalmente, microscopia de força atômica (AFM). Analisamos o comportamento da rugosidade dos filmes como função da escala de observação e do tempo de deposição. Dessa maneira verificamos a existência de leis de potência para o crescimento e determinamos os expoentes críticos associados a essas leis. Os resultados obtidos estão em bom acordo com o processo de crescimento descrito pela equação estocástica KPZ. Os mecanismos principais são a deposição aleatória de partículas na superfície, o crescimento lateral e a dessorção. Diamond films have been grown by Microwave Plasma assisted Chemical Vapor Deposition (CVD). The characterization has been made mainly by Atomic Force Microscopy (AFM). We could analyze the roughness behavior with the scale of observation and with the deposition time. We could determine the critical exponents associated with these laws. The results suggest that the growth process is in good agreement with the stochastic growth equation known as KPZ. The most important mechanisms are the random deposition, the lateral growth and the desorption. 1999-05-28 info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/masterThesis http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-19062015-165612/ por info:eu-repo/semantics/openAccess Universidade de São Paulo Física USP BR reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP instname:Universidade de São Paulo instacron:USP
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Marcilei Aparecida Guazzelli da Silveira
Medidas de expoentes críticos de filmes de diamante por meio de microscopia de força atômica
description Neste trabalho investigamos a dinâmica de crescimento de filmes de diamante sintetizados por meio de deposição química a vapor ativada por plasma de microondas (CVD). A caracterização foi feita utilizando, fundamentalmente, microscopia de força atômica (AFM). Analisamos o comportamento da rugosidade dos filmes como função da escala de observação e do tempo de deposição. Dessa maneira verificamos a existência de leis de potência para o crescimento e determinamos os expoentes críticos associados a essas leis. Os resultados obtidos estão em bom acordo com o processo de crescimento descrito pela equação estocástica KPZ. Os mecanismos principais são a deposição aleatória de partículas na superfície, o crescimento lateral e a dessorção. === Diamond films have been grown by Microwave Plasma assisted Chemical Vapor Deposition (CVD). The characterization has been made mainly by Atomic Force Microscopy (AFM). We could analyze the roughness behavior with the scale of observation and with the deposition time. We could determine the critical exponents associated with these laws. The results suggest that the growth process is in good agreement with the stochastic growth equation known as KPZ. The most important mechanisms are the random deposition, the lateral growth and the desorption.
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