Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores

As propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em bulk e superfície de semicondutores são estudadas através de cálculos de primeiros princípios. Apresentamos um estudo detalhado para as relaxações e distorções para diferentes estados de carga da vacância em Ge. Nosso principal resultado...

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Bibliographic Details
Main Author: Anderson Janotti
Other Authors: Adalberto Fazzio
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 1999
Subjects:
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/