Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores
As propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em bulk e superfície de semicondutores são estudadas através de cálculos de primeiros princípios. Apresentamos um estudo detalhado para as relaxações e distorções para diferentes estados de carga da vacância em Ge. Nosso principal resultado...
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Language: | Portuguese |
Published: |
Universidade de São Paulo
1999
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Subjects: | |
Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/ |