Um estudo sobre centros DX em AlxGa1-xAs
É feito um resumo dos principais modelos criados para se explicar as intrigantes propriedades do centro DX e atualizar o problema. O decaimento da fotocondutividade persistente (PPC) é medido em AlxGa1-x As dopado com Si e se discute a validade dos modelos em função da cinética de captura dos el...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
1991
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-21112007-092636/ |