Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico.

Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico.

Neste trabalho, investigou-se capacitores MOS fabricados sobre superfícies irregulares contendo formas retangulares periódicas com 100 nm de altura, obtidas a partir de corrosão por plasma localizadas. Os óxidos de porta com 4,5 nm de espessura foram crescidos em ambientes ultrapuros de O2 ou pi...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Ricardo de Souza
Other Authors: Sebastião Gomes dos Santos Filho
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 2006
Subjects:
Capacitor
Curva C-V
MOS
Óxido de porta ultrafino
Ruptura dielétrica
C-V curve
Dielectric breakdown
Ultrathin gate oxide
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/

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