Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade

Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade

Neste trabalho estudamos as propriedades físicas das impurezas de elementos de terra rara (TR) nos cristais de GaN, nas estruturas cristalinas zincblenda e wurtzita, e de ZnO. Para tal, consideramos as impurezas de Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er e Tm substitucionais no sítio do cátion (Ga ou Zn), pois e...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Glaura Caroena Azevedo de Oliveira
Other Authors: Lucy Vitoria Credidio Assali
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 2012
Subjects:
GGA+U
métodos ab initio
nitreto de gálio
óxido de zinco
potencial de Hubbard
terra-rara
ab initio methods
gallium nitride
Hubbard potential
rare-earth
zinc oxide
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/

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