Uso de diodos epitaxiais de Si em dosimetria de fótons
Neste trabalho são apresentados os resultados da caracterização dosimétrica de dois diodos especiais de silício, resistentes a danos de radiação, crescidos pelo método epitaxial com vistas a sua aplicação na monitoração em tempo real de feixes de fótons de qualidades de radiodiagnóstico convenci...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2013
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-28012014-081211/ |