Estudo do mecanismo de deposição de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o sistema de deposição assistida por feixe de íons
Filmes finos de CNx foram depositados em temperatura ambiente, 350, 400, 500oC, por deposição a vapor de carbono sobre os substratos de Si(100) ou Si(111) com irradiação simultânea por íons derivado de gás N2 ou de mistura gasosa Ar-N2. A energia de íons variou de 150 a 600 eV e a razão de chega...
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Language: | Portuguese |
Published: |
Universidade de São Paulo
2007
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Subjects: | |
Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28022008-100214/ |