Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira.

Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira.

Neste trabalho investigamos o tunelamento ressonante em estruturas de dupla barreira GaAs/(AlGa)As que foram fabricadas em mesas quadradas de tamanho lateral mesoscópico e macroscópico (&#8764 10&#956m &#215 10&#956m). Uma camada tipo &#948 com diferentes concentrações de Sil...

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Bibliographic Details
Main Author: Newton La Scala Junior
Other Authors: Pierre Basmaji
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 1994
Subjects:
Propriedades elétricas
Semicondutores
Singularidade do nível de Fermi
Tunelamento ressonante
Electrical properties
Fermi edge singularity
Resonant tunneling
Semiconductors
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-091925/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-091925/

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