Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de InAs e In0.5Ga0.5As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de GaAs.
Pontos quânticos naturais ou auto-organizados de InAs e In0.5Ga0.5As foram produzidos sobre substratos de GaAs com diferentes orientações cristalográficas, utilizando-se a técnica de Epitaxia por Feixes Moleculares. Tais pontos foram caracterizados in situ através da Difração de Elétrons de Alta...
| Main Author: | |
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| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
1998
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/ |