Estudo das propriedades ópticas da super-rede InGaAS/ InGaAIAs: Si através da técnica de fotoluminescência
Neste trabalho investigamos, através da técnica de fotoluminescência, uma super-rede semicondutora de In0,53Ga0,47As/In0,52Ga0,235Al0,24As dopada com Si, crescida através da técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), sobre InP. As origens das transições ópticas observadas nos espectros de foto...
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| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade Estadual de Londrina. Centro de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduação em Física.
2005
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| Online Access: | http://www.bibliotecadigital.uel.br/document/?code=vtls000113942 |