Implantação por recuo de antimônio em silício por bombardeamento com íons de argônio e germânio
Estudamos o processo de dopagem de silício com antimônio por recuo promovido por bombardeamento iônico. Em nossas experiências o sistema filme fino de antimônio de 60 nm de espessura depositado sobre silício monocristalino de orientação <100> foi bombardeado com Ar+ ou Ge+ com energias entre 4...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
2017
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/153367 |