Síntese de SiC por implantação iônica de carbono em SIMOX(111) e Si(111)
SiC é um semicondutor promissor para dispositivos eletrônicos de alta-potência, alta-freqüência e alta temperatura e a síntese de uma camada epitaxial de SiC por implantação, na superfície do Si, pode ser uma via de integração com a tecnologia de Si. Implantação em alta temperatura (600°C) através d...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/16135 |