Aukštadažnių SiGe ir A3B5 įvairialyčių dvipolių tranzistorių statinių, mikrobangių charakteristikų ir triukšmo tyrimas

Aukštadažnių SiGe ir A3B5 įvairialyčių dvipolių tranzistorių statinių, mikrobangių charakteristikų ir triukšmo tyrimas

Show other versions (1)

Šiuolaikiniai Si/SiGe, AlGaAs/GaAs bei InGaP/GaAs įvarialyčiai dvipoliai tranzistoriai (ĮDT) pasižymi dideliu informacijos perdavimo greičiu, dideliu signalo stiprinimu, žemu triukšmų lygiu ir mažu signalo iškraipymu. Disertaciniame darbe atlikti Si/SiGe ir InGaP/GaAs ĮDT aukštadažnių charakteristik...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Šimukovič, Artūr
Other Authors: Karpus, Vytautas
Format: Doctoral Thesis
Language:Lithuanian
Published: Lithuanian Academic Libraries Network (LABT) 2010
Subjects:
Physics
Triukšmas
Įvarialyčiai dvipoliai tranzistoriai
HICUM
SiGe ĮDT
InGaP ĮDT
Noise
Heterojunction bipolar transistors
SiGe HBT
InGaP HBT
Online Access:http://vddb.laba.lt/fedora/get/LT-eLABa-0001:E.02~2010~D_20101001_151042-82495/DS.005.0.01.ETD

Internet

http://vddb.laba.lt/fedora/get/LT-eLABa-0001:E.02~2010~D_20101001_151042-82495/DS.005.0.01.ETD

Similar Items