Nesąlytinė savitųjų ir technologinių defektų spektroskopija Si, Ge ir GaN dariniuose
Viena iš pagrindinių priežasčių, keičiančių puslaidininkinių prietaisų parametrus, yra elektriškai aktyvūs defektai. Gilieji lygmenys sąlygoja krūvininkų gyvavimo trukmės mažėjimą medžiagoje, todėl blogėja krūvininkų surinkimo koeficientas puslaidininkiniuose detektoriuose, išauga energijos nuostoli...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | Lithuanian |
| Published: |
Lithuanian Academic Libraries Network (LABT)
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vddb.laba.lt/fedora/get/LT-eLABa-0001:E.02~2012~D_20121001_093214-49695/DS.005.0.01.ETD |