Modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction pour la réalisation de circuits monolithiques hyperfréquence
Ce travail porte sur la modélisation petit signal du transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) de la filière GaInP/GaAs, ainsi que l'intégration du modèle dans un logiciel de CAO, tel que Advanced Design System (ADS). Le modèle développé est utilisé en vue de réalisation d'amplificateurs...
| Main Author: | |
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| Format: | Others |
| Published: |
École de technologie supérieure
2001
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| Online Access: | http://espace.etsmtl.ca/845/1/SI_MAHFOUD_Rachid.pdf |