Estudio morfológico y estructural del crecimiento epitaxial de capas de Si y Si 1-y Cy
En este trabajo se ha estudiado el crecimiento epitaxial de capas de silicio sobre substrato de Si (001) y capas pseudomórficas de Si1-yCy utilizando silano y tetrametilsilano como gases precursores en el crecimiento vía Deposición Química en Fase Vapor. La temperatura mínima de epitaxia de las capa...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | Spanish |
| Published: |
Universitat Autònoma de Barcelona
2001
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10803/3329 http://nbn-resolving.de/urn:isbn:8469976974 |