Enhancement of defect diagnosis based on the analysis of CMOS DUT behaviour
Les dimensions dels transistors disminueixen per a cada nova tecnologia CMOS. Aquest alt nivell d'integració complica el procés de fabricació dels circuits integrats, apareixent nous mecanismes de fallada. En aquest sentit, els mètodes de diagnosi actuals no són capaços d'assumir els nous...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | English |
| Published: |
Universitat Politècnica de Catalunya
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10803/6353 http://nbn-resolving.de/urn:isbn:9788469193440 |