Liquid-phase-epitaxial(LPE) growth of Alx Ga(1-x)Sb and surface characterizations
碩士 === 國立成功大學 === 物理研究所 === 76 === AlxGa(1-x)Sb半導體其能隙隨ｘ值不同而從０．７eV改變至１．４eV，此種材料在光 電元件上之應用有極大的潛力。 本文討論以液相磊晶（LPE ）技術中的超冷降溫法於銻化鎵基片上成長三種不同組成 的AlxGa(1-x)Sb，利用SEM （Scanning Electron Mircoscopy），EDAX（Energy Dis persion...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
1988
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/85549817562446261475 |